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ZXMN3B01FTA

更新時間:2025-07-04 04:08:55

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ZXMN3B01FTA 概述

ZXMN3B01FTA是Diodes公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為0.1Ω。其漏源擊穿電壓為20V，連續(xù)漏極電流可達2.1A（在特定條件下）。它適用于電池供電設備、負載開關(guān)和DC - DC轉(zhuǎn)換器等應用場合。在便攜式設備中作為電源管理部分的開關(guān)器件非常合適。使用時需要注意控制好柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟，并且在布局PCB時盡量減小寄生電感對高速開關(guān)性能的影響。例如在設計一個低壓差線性穩(wěn)壓器的使能控制電路時，可將此MOSFET作為控制開關(guān)串聯(lián)在輸出回路中，通過數(shù)字信號來控制其導通與截止從而實現(xiàn)輸出電壓的開關(guān)控制。

ZXMN3B01FTA 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫歐 @ 1.7A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
2.93nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
258pF @ 15V
功率 - 最大
625mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
ZXMN3B01FTA-ND

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ZXMN
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ZXMN10A07FTA
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ZEN056V130A24LS

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