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UMC3NT1G

更新時間:2025-05-19 19:15:15

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UMC3NT1G外觀圖

UMC3NT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

TRANS BRT NPN/PNP DUAL SOT-353

封裝:6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353

UMC3NT1G 概述

UMC3NT1G是由安森美半導體(Onsemi)生產(chǎn)的一款超快恢復二極管。該器件采用SMA封裝，具有低正向電壓降和快速開關特性。其典型反向重復峰值電壓為30V，適用于需要高效整流和快速恢復特性的應用場合。這款二極管廣泛應用于電源管理、DC-DC轉換器、適配器以及便攜式電子設備中。在電路設計中，UMC3NT1G可以用于輸出整流，特別是在需要小尺寸和高效率的場合。其緊湊的SMA封裝有助于節(jié)省PCB空間，并提高功率密度。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計以確保長期可靠性。在實際應用中，建議參考數(shù)據(jù)手冊中的電氣特性參數(shù)進行合理選型與布局。

UMC3NT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
10k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
10k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
35 @ 5mA，10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
500nA
頻率 - 轉換
-
功率 - 最大
150mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353
供應商設備封裝
SC-70
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
UMC3NT1GOS

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UMC3
UMC3 TR
UMC3N
UMC3NT1
UMC3TR
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