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TSM160P02CS

更新時間:2025-06-21 04:23:13

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TSM160P02CS 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
16 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
27 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2320 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOP
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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