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SUP65P06-20-E3

更新時(shí)間:2025-06-29 09:09:27

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市特立芯科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務(wù)

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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十年配單，只做原裝

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特價(jià)原裝現(xiàn)貨，一站配齊

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SUP65P06-20-E3 概述

SUP65P06-20-E3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓為65V，連續(xù)漏極電流可達(dá)20A，適合用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)合。在實(shí)際應(yīng)用中，SUP65P06-20-E3常用于同步整流電路，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其優(yōu)秀的熱性能和低柵極電荷，非常適合高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)。使用時(shí)應(yīng)注意合理布局PCB以確保良好的散熱效果，并且要保證柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性，避免出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象。此外，在選擇柵極電阻時(shí)應(yīng)根據(jù)具體頻率需求進(jìn)行優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能。

SUP65P06-20-E3 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
60 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
65 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
20 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB-3
封裝
Tube
下降時(shí)間
30 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
250 W
上升時(shí)間
40 ns
工廠包裝數(shù)量
500
商標(biāo)名
TrenchFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
65 ns

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SUP65P06-20-E3
SUP60N06
SUP60N06-12P
SUP60N06-12P-E3
SUP60N06-12P-GE3
SUP60N0618
SUP60N06-18
STM32F105RCT6

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