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SUP57N20-33

更新時間:2025-06-06 04:40:24

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SUP57N20-33 概述

SUP57N20-33是由Silergy公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓為200V，可滿足中高壓應用場景需求。典型應用場景包括AC/DC適配器、LED驅(qū)動器、電機控制及工業(yè)電源等。在這些應用中，SUP57N20-33能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)整體效率。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，特別適合用于需要緊湊設計的空間受限型產(chǎn)品。使用建議：在PCB布局時應盡量減小源極和柵極的走線電感，以避免開關(guān)過程中產(chǎn)生振蕩。推薦添加合適的柵極電阻來優(yōu)化開關(guān)速度，并確保足夠的散熱設計以維持長期可靠運行。注意遵循制造商提供的最大額定值和工作條件限制。

SUP57N20-33 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
200 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
57 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
33 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB-3
封裝
Tube
下降時間
200 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
3.75 W
上升時間
220 ns
工廠包裝數(shù)量
500
典型關(guān)閉延遲時間
45 ns

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