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STWA65N60DM6

更新時間:2025-12-12 06:57:51

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STWA65N60DM6 概述

STWA65N60DM6是由意法半導體生產的高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh DM6技術，具有低導通電阻和低柵極電荷，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為600V，適合在高壓電路中使用。該MOSFET廣泛應用于電源管理、開關電源、太陽能逆變器、電機驅動等需要高效能量轉換的場合。在這些應用場景中，它能夠有效減少功耗并提升系統整體效率。使用時應注意適當的散熱設計以確保穩(wěn)定工作，建議在PCB布局時增加足夠的銅面積用于散熱，并選擇合適的柵極驅動電阻來優(yōu)化開關速度。對于高頻應用，需特別注意減小寄生電感影響，可通過優(yōu)化走線設計實現。

STWA65N60DM6 規(guī)格參數

現有數量
45現貨
系列
MDmesh? DM6
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
38A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247 長引線
封裝/外殼
TO-247-3

芯知識

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