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STWA57N65M5

更新時間:2025-07-20 09:42:42

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STWA57N65M5 概述

STWA57N65M5是意法半導體生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效能的電源轉換應用。其最大漏源電壓為650V，適合在高壓開關電源、不間斷電源系統以及太陽能逆變器等場景中使用。此款MOSFET在工業(yè)級溫度范圍內穩(wěn)定工作，能夠承受較高的電流密度，有助于提高系統的整體效率并減少散熱需求。對于需要高可靠性與長使用壽命的應用來說是一個理想選擇。在設計時應注意適當的散熱措施，并確保驅動電路能夠提供足夠的柵極驅動能力以實現最佳性能。在實際應用中可參考制造商提供的典型應用電路進行PCB布局，避免不必要的寄生參數影響器件性能。

STWA57N65M5 規(guī)格參數

現有數量
103現貨
系列
MDmesh? V
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
42A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
63 毫歐 @ 21A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4200 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3

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