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STW6N90K5

更新時間:2025-12-06 17:44:19

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STW6N90K5 概述

STW6N90K5是意法半導體生產的高性能功率MOSFET，采用先進的MDmesh K5技術制造。該器件具有低導通電阻和低柵極電荷特性，優(yōu)化了開關性能，在高頻應用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為900V，連續(xù)漏極電流能力為4A（在25°C條件下），適用于高壓電源轉換系統(tǒng)。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)驅動以及各種需要高效功率管理的場合。在實際應用中，建議根據具體工作條件選擇合適的散熱方案，并確保柵極驅動電路設計合理以充分發(fā)揮其高速開關特性。對于高可靠性要求的應用，需注意遵循制造商提供的電氣參數(shù)范圍進行設計。

STW6N90K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? K5
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
900 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.1 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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SMBJ5.0CA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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