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STW6N120K3

更新時間:2025-05-19 19:55:16

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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STW6N120K3外觀圖

STW6N120K3

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

封裝:TO-247-3

STW6N120K3 概述

STW6N120K3是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET，適用于高效率開關電源和其他需要高壓處理能力的應用。它采用MDmesh K3技術，具有低導通電阻和低柵極電荷的特點，這使得它在高頻開關應用中表現(xiàn)出色。該器件的最大漏源電壓（Vds）為1200V，連續(xù)漏極電流（Id）為4.5A（在25°C條件下），使其適合用于工業(yè)級電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、焊接設備以及照明系統(tǒng)中的驅(qū)動電路。在實際應用中，需注意其工作溫度范圍為-40°C到150°C，并且為了確保最佳性能，建議遵循制造商提供的散熱設計指南。此外，在電路設計時應合理選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關速度和EMI特性。

STW6N120K3 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STW6N120K3 View All Specifications
標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH3™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1050pF @ 100V
功率 - 最大
150W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件
其它名稱
497-12124

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廣東微爾科技有限公司

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STW62NM60N
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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