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STW69N65M5-4

更新時間:2025-08-22 05:35:30

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STW69N65M5-4 概述

STW69N65M5-4是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用MDmesh M5技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，優(yōu)化了開關性能，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓(Vds)為650V，連續(xù)漏極電流(Id)可達30A(在25°C條件下)，非常適合于工業(yè)級電源、太陽能逆變器、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)及高效率AC/DC轉(zhuǎn)換器等場景。在實際應用中，由于其低Rds(on)特性，可有效降低功耗，提升系統(tǒng)整體效率。設計時需注意合理選擇驅(qū)動電阻以匹配具體的工作頻率，并確保PCB布局良好以實現(xiàn)最佳散熱效果。例如，在一個典型的PFC電路中，可將此MOSFET作為主開關管使用，配合適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路，能夠顯著改善系統(tǒng)的動態(tài)響應速度和熱穩(wěn)定性。

STW69N65M5-4 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
540現(xiàn)貨
系列
MDmesh? V
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
58A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
45 毫歐 @ 29A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
143 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6420 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-4L
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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