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STW58N60DM2AG

更新時間:2025-05-22 17:57:51

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STW58N60DM2AG 概述

58N60DM2AG是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET，采用MDmesh DM2技術制造。這款器件具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高壓應用。其最大漏源電壓為600V，適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器和其他工業(yè)應用中。在實際應用中，STW58N60DM2AG常用于PFC（功率因數(shù)校正）電路和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器設計。使用時應注意驅(qū)動電路的設計，以確保MOSFET能夠快速且可靠地開關，減少開關損耗。建議選用合適的柵極驅(qū)動電阻，并注意PCB布局，盡量減小寄生電感的影響。對于高可靠性要求的應用場景，還應考慮并聯(lián)多個MOSFET以分擔負載電流，提高整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

STW58N60DM2AG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh? DM2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
50A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
60 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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