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STW48N60DM2

更新時間:2025-12-03 11:48:45

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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STW48N60DM2 概述

STW48N60DM2是由意法半導體生產(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件采用MDmesh DM2技術(shù)，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為600V，適合在高壓電源、工業(yè)電機驅(qū)動和不間斷電源系統(tǒng)中使用。該MOSFET能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，并且具備快速開關(guān)特性，有助于減少能量損耗并提升整體效率。在電路設計時，需注意適當?shù)臇艠O驅(qū)動電壓以確?？煽繉ㄅc關(guān)斷，推薦使用合適的柵極電阻來控制開關(guān)速度，避免過沖和振鈴現(xiàn)象。在實際應用中，常用于半橋和全橋拓撲結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)高效的功率變換。

STW48N60DM2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? DM2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
79 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3250 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3

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廣東微爾科技有限公司

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