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STW45N60DM6

更新時間:2025-05-25 15:57:00

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STW45N60DM6 概述

STW45N60DM6是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh DM6技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達45A，非常適合于高壓高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等需要高效率和可靠性的場合。在實際應用中，建議將柵極驅動電壓設置在12V左右以確保最佳導通特性。為了防止柵極過壓擊穿，需加入適當?shù)你Q位電路或TVS二極管保護措施。設計時應注意PCB布局優(yōu)化，減小寄生電感影響，提升整體系統(tǒng)效率。此外，在并聯(lián)使用多個MOSFET時要保證良好的熱均衡設計。

STW45N60DM6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? DM6
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
99 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1920 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
210W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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