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STW3N150

更新時間:2025-07-07 02:35:24

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STW3N150外觀圖

STW3N150

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247

封裝:TO-247-3

STW3N150 概述

STW3N150是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件采用先進的第三代MDmesh技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓(Vds)可達150V，適合在高頻開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電動工具等應用場景中使用。由于其優(yōu)化的開關性能和低柵極電荷，能夠顯著降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。此外，該MOSFET還具備出色的雪崩耐量，增強了電路的可靠性。在實際應用中，建議根據(jù)具體工作條件選擇合適的驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度，并注意PCB布局以確保良好的熱管理和信號完整性。

STW3N150 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STW3N150 View All Specifications
特色產(chǎn)品
1500V MOSFET Family
標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1500V（1.5kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 歐姆 @ 1.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
939pF @ 25V
功率 - 最大
140W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-6332-5

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電話：15817467967
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