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STW33N60M2

更新時間:2025-07-09 20:27:09

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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STW33N60M2 概述

STW33N60M2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達33A，適合用于工業(yè)級電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等高可靠性要求的場合。在設(shè)計中應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計來維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于高功率密度應(yīng)用，推薦使用PCB銅箔作為主要散熱途徑，同時可考慮并聯(lián)多個MOSFET以降低總導(dǎo)通損耗。

STW33N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
26A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
125 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
45.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1781 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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