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STW32NM50N

更新時間:2025-06-02 04:07:51

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STW32NM50N 概述

STW32NM50N是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高效率和高性能的電源管理應用，具備低導通電阻和高電流處理能力。其最大漏源電壓（Vds）為50V，適用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電器等場合。在高頻開關(guān)應用中表現(xiàn)出色，有助于減少功耗并提升系統(tǒng)整體效率。由于其優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和堅固的封裝結(jié)構(gòu)，適合于惡劣環(huán)境下的工業(yè)級應用。使用時需注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保足夠的驅(qū)動電壓以達到最佳性能。此外，在PCB布局上應盡量減小寄生電感，避免影響開關(guān)速度和EMI性能。

STW32NM50N 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
22A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
130 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
62.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1973 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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