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STW30NM50N

更新時間:2025-05-19 10:46:47

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STW30NM50N外觀圖

STW30NM50N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

封裝:TO-247-3

STW30NM50N 概述

STW30NM50N是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動和其他電力電子應用中。其最大漏源電壓為500V，適合高壓應用場景。在電源轉(zhuǎn)換器中，這款MOSFET可以作為主開關管使用，能夠有效提高效率并減少熱損耗。設計時應注意柵極驅(qū)動電路的設計，確保足夠的驅(qū)動能力以實現(xiàn)快速開關。同時，在PCB布局上需考慮散熱設計，以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。此外，由于其高輸入阻抗特性，在實際應用中要特別注意靜電防護措施，防止器件因靜電損壞。

STW30NM50N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
27A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
115 毫歐 @ 13.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
94nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2740pF @ 50V
功率 - 最大
190W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-8795-5

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