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STW30N80K5

更新時間:2025-07-04 23:25:03

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STW30N80K5 概述

STW30N80K5是意法半導體生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓（Vds）為800V，連續(xù)漏極電流（Id）可達30A，在高溫環(huán)境下依然能保持良好的電氣性能。這款MOSFET適用于需要高效功率轉換的應用場景，如開關電源、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器和工業(yè)電機驅動等。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個10-100歐姆的小電阻來抑制振蕩現象，并確保散熱設計合理以維持結溫在安全范圍內。布局時應盡量縮短高頻走線長度，減少寄生電感影響。由于其高耐壓特性，在高壓電路設計中可以有效提升系統(tǒng)可靠性。

STW30N80K5 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
MDmesh? K5
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
180 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1530 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

STW30N80K5推薦型號

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