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STW18NM60N

更新時間:2025-05-19 01:11:18

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STW18NM60N外觀圖

STW18NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

封裝:TO-247-2

STW18NM60N 概述

STW18NM60N是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-247封裝。該器件設計用于高電壓應用，最大漏源電壓Vds可達600V，連續(xù)漏極電流Id為18A（在25°C條件下），具有低導通電阻Rds(on)特性，有助于減少開關(guān)損耗并提高效率。這款MOSFET適用于多種高壓高頻開關(guān)電源應用，如不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動器和工業(yè)逆變器等。其快速的開關(guān)速度以及良好的熱性能使得它成為高效能電力電子設備的理想選擇。在電路設計中，建議合理選擇柵極電阻來優(yōu)化開關(guān)速度與電磁干擾(EMI)之間的平衡。使用時需注意保證足夠的散熱措施以確保長期穩(wěn)定工作。

STW18NM60N 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STW18NM60N View All Specifications
標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
285 毫歐 @ 6.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 50V
功率 - 最大
110W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-2
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-10997-5STW18NM60N-ND

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