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STU8N80K5

更新時間:2025-06-17 13:57:20

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STU8N80K5 概述

STU8N80K5是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓可達800V，連續(xù)漏極電流為8A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。這款MOSFET常用于開關電源、適配器、LED驅動器以及工業(yè)控制等場景。在反激式變換器中作為主開關管使用時，可以有效提升系統(tǒng)效率并減少散熱需求。由于其快速開關速度和優(yōu)化的開關損耗，特別適合高頻應用場合。設計時應注意合理選擇柵極電阻以控制開關速度，并確保足夠的散熱措施。建議配合合適的驅動電路使用，避免過沖損壞柵極。同時應關注PCB布局以最小化寄生電感影響。

STU8N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
3,498現(xiàn)貨
系列
SuperMESH5?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
950 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-251（IPAK）
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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廣東微爾科技有限公司

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STU8NB90
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