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STU13N60M2

更新時間:2025-08-23 15:37:52

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市安富世紀電子有限公司
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-

深圳市米數(shù)科技有限公司
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回收此型號STU13N60M2

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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STU13N60M2 概述

13N60M2是由意法半導體生產(chǎn)的高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效能開關電源應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達13A，適合用于高頻開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動和其他工業(yè)電源轉換設備。在具體應用中，建議將STU13N60M2用于半橋或全橋拓撲結構的電路設計，以實現(xiàn)更高的效率和更低的損耗。使用時需注意確保柵極驅(qū)動電壓穩(wěn)定且足夠高以完全開啟MOSFET，同時要保證散熱設計合理，避免因過熱導致性能下降或損壞。典型的應用電路包括反激式變換器和LLC諧振轉換器等。

STU13N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
380 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
580 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-251（IPAK）
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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