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STS8DNF3LL

更新時間:2025-07-04 19:04:29

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STMICROELECTRONICSASIAPACIFI
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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STS8DNF3LL外觀圖

STS8DNF3LL

STMicroelectronics FET - 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

STS8DNF3LL 概述

STS8DNF3LL是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的SuperMESH+技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓(VDS)為800V，連續(xù)漏極電流(ID)可達5.7A，適用于高電壓、中等功率的應用場景。此MOSFET常用于開關電源、電機驅動、LED照明以及工業(yè)控制等領域。在反向恢復時間方面表現(xiàn)出色，能有效降低開關損耗。封裝形式為TO-220AB，便于散熱設計和PCB布局。應用建議：在電路設計時需注意柵極驅動電壓應保持在10-15V以確保完全開啟；同時考慮適當增加柵極電阻來抑制振蕩現(xiàn)象。對于需要并聯(lián)使用的場合，要保證每顆MOSFET的參數(shù)一致性以均衡電流分配。

STS8DNF3LL 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STS8DNF3LL View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
STripFET™
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-2470-6

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