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STS8C5H30L

更新時間:2025-05-31 17:31:05

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STS8C5H30L外觀圖

STS8C5H30L

STMicroelectronics FET - 陣列

MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

STS8C5H30L 概述

STS8C5H30L是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽柵極技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為80V，能夠承受較高的電壓應力，在工業(yè)控制、電源管理和汽車電子等領域有著廣泛應用。在實際應用中，STS8C5H30L常用于直流-直流轉換器、電機驅動以及負載開關等場合。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，避免過沖現(xiàn)象。此外，為確保長期可靠性，建議在PCB設計中充分考慮散熱措施，如增加銅箔面積或添加散熱片。對于高可靠性應用，還需注意工作溫度范圍，并進行適當?shù)臒峁芾碓O計。

STS8C5H30L 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STS8C5H30L View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A，5.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
857pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-4398-6

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