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STP9N65M2

更新時(shí)間:2025-06-24 08:12:36

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市芯國(guó)創(chuàng)科技有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市萬(wàn)芯時(shí)代貿(mào)易有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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AP9962GH ADM3202ARNZ 2N7002W-7-F TLP781GB SI2302DS BB833 E6327 RN2404 LT1963AEQ-1.8

STP9N65M2 概述

STP9N65M2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高壓應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時(shí)可達(dá)9A。該MOSFET采用先進(jìn)的MDmesh M2技術(shù)，具有低柵極電荷和低反向傳輸電容，可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)性能。由于其優(yōu)秀的開關(guān)特性和高擊穿電壓能力，非常適合于開關(guān)電源(SMPS)如適配器、電視機(jī)電源等應(yīng)用場(chǎng)景。此外，在照明應(yīng)用如電子鎮(zhèn)流器中也有廣泛應(yīng)用。使用時(shí)應(yīng)注意正確選擇柵極電阻以控制開關(guān)速度，避免產(chǎn)生過高的電壓尖峰對(duì)電路造成損害。

STP9N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
963現(xiàn)貨
系列
MDmesh?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
900 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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