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STP8N80K5

更新時間:2025-05-23 06:32:10

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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QCW/群川微完美代用進口質(zhì)量國產(chǎn)價格

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STP8N80K5 概述

STP8N80K5是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為8A，在高溫條件下也能保持穩(wěn)定性能。典型應用包括開關電源、照明控制、消費電子設備中的電源管理和工業(yè)逆變器等場景。在電路設計中，建議使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計合理，防止過熱導致的性能下降或損壞。對于高可靠性要求的應用，應考慮并聯(lián)多個MOSFET以分擔負載電流。

STP8N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
125現(xiàn)貨7,000Factory
系列
SuperMESH5?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
950 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
450 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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