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STP8N65M5

更新時間:2025-05-16 07:26:23

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深圳市誠研翔科技有限公司
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STP8N65M5外觀圖

STP8N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220

封裝:TO-220-3 成形引線

STP8N65M5 概述

8N65M5是由意法半導體生產的N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能電源管理應用，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達8A，適用于高電壓、中等功率的應用場景。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅動和開關模式電源（SMPS）。在這些應用中，STP8N65M5能夠有效降低功耗并提高系統效率。使用時應注意適當的散熱設計，確保MOSFET工作在安全溫度范圍內。建議選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并且在PCB布局時要特別注意減小寄生電感，防止振蕩現象的發(fā)生。在電路設計中，通常會與適當的門極驅動IC配合使用，以實現最佳性能。

STP8N65M5 規(guī)格參數

其它有關文件
STP8N65M5 View All Specifications
產品培訓模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫歐 @ 3.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
690pF @ 100V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 成形引線
供應商設備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
497-10885-5

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廣東微爾科技有限公司

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STP80N06
STP80N10
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STP80N20M5
STP80N55-08
SPW47N60C3

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