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STP8N120K5

更新時間:2025-05-19 11:04:14

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市美格納電子有限公司
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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青島諦輝電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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北京金州智業(yè)科技有限公司
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STP8N120K5 概述

STP8N120K5是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高壓應(yīng)用場合。其最大漏源電壓可達1200V，連續(xù)漏極電流為8A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。此款MOSFET常用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等需要高效能量轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在電路設(shè)計中，應(yīng)確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻，并且要特別注意散熱設(shè)計，避免因過熱導(dǎo)致器件損壞。使用時推薦查閱官方數(shù)據(jù)手冊獲取更詳細的電氣參數(shù)和典型應(yīng)用電路，以便進行正確的電路設(shè)計與調(diào)試。

STP8N120K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? K5
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
2 歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
13.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
505 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

STP8N120K5推薦型號

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STP8
STP80N06
STP80N10
STP80N10F7
STP80N20M5
STP80N55-08
STP80N6F6
SR3100

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