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STP7NM60N

更新時間:2025-05-16 07:04:35

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深圳市誠研翔科技有限公司
STP7NM60N
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市昂芯微科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳市君云達電子科技有限公司
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原裝正支持實單

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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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只做原裝更多數量在途訂單

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原裝現貨，只做自己優(yōu)勢

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深圳市創(chuàng)芯聯盈電子有限公司
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全新原裝，價優(yōu)，可開17%增值稅發(fā)票

深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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45000
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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可查官網https//www.icscjh.com/

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原廠渠道，現貨配單

深圳市創(chuàng)勝達電子有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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STMicroelectronics(意法半導體)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經營部
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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MOSFET單管,原裝和國產替代

深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市新美電子有限公司
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只做原裝

深圳市英德州科技有限公司
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主營ST，長期供應貨源穩(wěn)定

深圳市馨軒電子科技有限公司
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STP7NM60N外觀圖

STP7NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB

封裝:TO-220-3

STP7NM60N 概述

STP7NM60N是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關電源應用。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，可在高壓環(huán)境下高效工作。其最大漏源電壓為600V，適合于需要高耐壓能力的電路設計中。主要應用于不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）以及電機驅動等場景。在實際使用時，建議確保柵極驅動電壓穩(wěn)定，以保證最佳的導通性能。同時，在進行PCB布局時，應盡量減小源極電感，減少開關損耗。為了提高系統(tǒng)的可靠性，可以在MOSFET的柵極串聯一個小電阻來抑制振蕩現象。此款MOSFET憑借其優(yōu)異的電氣性能和可靠性，成為高性能電源轉換器的理想選擇。

STP7NM60N 規(guī)格參數

其它有關文件
STP7NM60N View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
900 毫歐 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
363pF @ 50V
功率 - 最大
45W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
497-11337-5

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