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STP6N80K5

更新時間:2025-05-16 21:22:54

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STP6N80K5 概述

STP6N80K5是由意法半導體生產(chǎn)的高壓MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具有低導通電阻和低柵極電荷的特點，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為800V，連續(xù)漏極電流可達6A，適合在高溫環(huán)境下工作，結溫最高可達175°C。這款MOSFET廣泛應用于開關電源、適配器、照明系統(tǒng)以及工業(yè)控制設備中。在具體應用時，建議根據(jù)實際需求選擇合適的驅(qū)動電路以確保MOSFET能夠快速且可靠地開關。例如，在高頻DC-DC轉換器設計中，需注意PCB布局盡量減小寄生電感，以降低開關損耗并提高效率。同時要注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。

STP6N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
SuperMESH5?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.6 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
7.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
255 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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