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STP6N62K3

更新時間:2025-05-28 19:18:31

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STP6N62K3外觀圖

STP6N62K3

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220

封裝:TO-220-3

STP6N62K3 概述

STP6N62K3是意法半導體(STMicroelectronics)生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用DM2封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓VDS為620V，連續(xù)漏極電流ID在25°C時為6A。由于其高擊穿電壓和良好的熱性能，適用于高壓應用場合如開關電源、電機驅動、逆變器以及照明控制系統(tǒng)中作為功率開關元件使用。此外，該MOSFET還具備低柵極電荷量，有助于降低驅動損耗并提高系統(tǒng)效率，在高頻應用場景下表現(xiàn)良好。在電路設計時需注意柵極電壓施加要恰當，以確?？煽繉ㄅc關斷。

STP6N62K3 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP6N62K3 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
620V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 2.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
875pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-8450-5

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