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STP36N55M5

更新時間:2025-07-04 07:35:15

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OPA4347EA TC74VHC74FT PVU414S BAT54A AMS1117-1.2V MC7805ACD2TR4G MT41K256M8DA-125:K B5818W

STP36N55M5 概述

STP36N55M5是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。其最大漏源電壓(Vds)為550V，連續(xù)漏極電流(Id)為20A（在25°C條件下），適用于高壓高頻應用場合。典型應用場景包括開關電源、照明系統(tǒng)中的LED驅動器、適配器以及工業(yè)控制設備等。由于其低柵極電荷(Qg)特性，有助于提高整體電路效率并減少開關損耗。在設計時應注意保證足夠的散熱措施，并根據(jù)具體應用選擇適當?shù)臇艠O驅動電阻以優(yōu)化開關速度。

STP36N55M5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
229現(xiàn)貨
系列
MDmesh? V
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
550 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
33A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
80 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2670 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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STP36N55M5
STP3020
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SPX1117M3-3.3

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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