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STP300NH02L

更新時間:2025-07-09 05:03:58

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STP300NH02L外觀圖

STP300NH02L

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 24V 120A TO-220

封裝:TO-220-3

STP300NH02L 概述

STP300NH02L是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點，典型導通電阻為1.5mΩ（在Vgs=10V條件下），最大漏極電流可達300A。此款MOSFET適用于多種高效功率轉換應用，如不間斷電源、電機驅動器以及直流-直流轉換器等。它能夠在高頻開關電路中實現(xiàn)低損耗操作，有助于提高系統(tǒng)效率并減少熱管理需求。在實際應用時需注意，確保柵極驅動電壓足夠以保證最低的導通電阻，并且合理設計散熱措施避免過熱。對于典型的降壓轉換器電路設計，可將其作為同步整流管使用，與控制IC配合實現(xiàn)高效電能變換。

STP300NH02L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
24V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.2 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
109.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7055pF @ 15V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-7519-5STP300NH02L-ND

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