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STP22N60DM6

更新時間:2025-05-19 15:25:27

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STP22N60DM6 概述

STP22N60DM6是意法半導體生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用MDmesh M6技術，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高效電源轉換應用。其最大漏極-源極電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達22A，適合在高壓高頻環(huán)境下使用。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動、太陽能逆變器等領域。在電路設計中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟或關閉MOSFET，通常推薦10V至20V范圍內的柵極電壓。此外，在布局PCB時應盡量減小寄生電感，以減少開關損耗并提高整體效率。對于需要高能效和緊湊設計的應用場景，STP22N60DM6是一個理想選擇。

STP22N60DM6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M6
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
240 毫歐 @ 7.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

芯知識

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廣東微爾科技有限公司

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