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STP18N55M5

更新時間:2025-06-02 09:22:55

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市君云達電子科技有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳聞舟科技有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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STP18N55M5外觀圖

STP18N55M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB

封裝:TO-220-3

STP18N55M5 概述

STP18N55M5是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有低導通電阻和高開關速度特性。其最大漏源電壓為550V，適用于高壓應用場合。典型應用場景包括開關電源、照明系統(tǒng)中的LED驅動器、適配器以及工業(yè)控制設備等。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振鈴現(xiàn)象，并且確保散熱設計合理，以維持器件工作在安全溫度范圍內。對于高壓應用，注意PCB布局應盡量減小寄生電感，提高電路整體性能。如果用于電源轉換電路，可參考典型降壓轉換器拓撲結構進行設計，選用合適的外圍元件參數(shù)以優(yōu)化效率。

STP18N55M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP18N55M5 View All Specifications
產品培訓模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
550V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 6.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1352pF @ 100V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-10963-5

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