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STP15N65M5

更新時間:2025-05-23 10:07:47

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STP15N65M5外觀圖

STP15N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N CH 650V 11A TO220

封裝:TO-220-3

STP15N65M5 概述

STP15N65M5是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用MDmesh M5技術(shù)，具有低導通電阻和低柵極電荷的特點，適用于高效能的電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達15A。這款MOSFET廣泛應用于開關(guān)電源、適配器、照明系統(tǒng)中的LED驅(qū)動器以及工業(yè)設備中。在實際應用中，由于其低Rds(on)，可以有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。設計時需注意散熱管理，確保MOSFET工作在安全溫度范圍內(nèi)。推薦使用適當?shù)腜CB布局技巧，如增加銅箔面積以增強熱擴散效果。在電路設計上，可將其用于半橋或全橋拓撲結(jié)構(gòu)中，作為主開關(guān)元件，實現(xiàn)高效的能量傳輸。此外，在選擇柵極驅(qū)動電阻時應謹慎，以優(yōu)化開關(guān)速度并減少EMI干擾。

STP15N65M5 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
340 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
810pF @ 100V
功率 - 最大
85W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
497-12936-5

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