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STP150N10F7

更新時間:2025-06-09 14:46:22

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原裝優(yōu)勢大量現(xiàn)貨，歡迎咨詢

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北京睿宸齊芯科技有限公司
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STP150N10F7 概述

STP150N10F7是由意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能和高可靠性應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于各種電源管理應用。其典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電器等需要高效電力傳輸?shù)膱龊?。在電路設計中，它通常被用于控制大電流負載，確保系統(tǒng)高效穩(wěn)定運行。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以保證最佳性能，推薦參考官方數(shù)據(jù)手冊進行散熱設計以避免過熱損壞。該型號憑借其優(yōu)異的電氣特性和穩(wěn)健性，在工業(yè)及消費電子領域得到廣泛應用。

STP150N10F7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
110A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.2 毫歐 @ 55A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
117 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8115 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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