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STP11NM80

更新時間:2025-05-17 21:00:49

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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市拓華芯諾科技有限公司
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深圳市新億利電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市格爾微電子有限公司
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只做原裝，提供一站式BOM表電子配單服務(wù)

深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市特立芯科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務(wù)

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深圳市賽思爾科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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深圳市宏遠(yuǎn)芯能電子科技有限公
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深圳市恒芯巨能電子有限公司
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單

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STP11NM80外觀圖

STP11NM80

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

封裝:TO-220-3

STP11NM80 概述

STP11NM80是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高電壓應(yīng)用，最大漏源電壓（Vds）可達(dá)800V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為4A，具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少功耗并提高效率。此MOSFET適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、逆變器等需要高壓開關(guān)的應(yīng)用場景。其快速開關(guān)特性使得它在高頻電路中也能表現(xiàn)出色，同時具備良好的熱穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中，需注意柵極驅(qū)動電壓應(yīng)保持在規(guī)定范圍內(nèi)以確?？煽块_啟和關(guān)閉。建議使用合適的柵極電阻來控制開關(guān)速度，并防止振蕩現(xiàn)象。對于高壓應(yīng)用場合，務(wù)必做好絕緣措施并合理布局PCB以保證電氣安全。此外，在設(shè)計時要考慮散熱問題，確保工作溫度不超過器件的最大額定值。

STP11NM80 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP11NM80 View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
43.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1630pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-4369-5

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