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STP10NM65N

更新時間:2025-06-10 23:06:37

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

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原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷

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原裝現(xiàn)貨

深圳市華美銳科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市弘芯創(chuàng)科技有限公司
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深圳市賽思爾科技有限公司
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深圳市創(chuàng)勝達(dá)電子有限公司
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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)

上海馳循電子科技有限公司
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STP10NM65N外觀圖

STP10NM65N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 9A TO-220

封裝:TO-220-3

STP10NM65N 概述

STP10NM65N是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能的電源管理應(yīng)用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達(dá)10A，非常適合于高壓、中等功率的應(yīng)用場景，如不間斷電源（UPS）、逆變器、高頻開關(guān)電源等。在實際使用中，需注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計以確?？煽康拈_關(guān)性能，同時要考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧┮跃S持穩(wěn)定工作溫度。在電路設(shè)計時，推薦搭配合適的柵極電阻來優(yōu)化開關(guān)速度，并且在PCB布局上盡量縮短源極與柵極之間的引線長度，減少寄生電感的影響。

STP10NM65N 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP10NM65N View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
配用
497-6416-ND - BOARD EVAL L5991/STP10NK60Z
其它名稱
497-7499-5STP10NM65N-ND

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STP10NM65N
STP10
STP100N10F7
STP100N8F6
STP100NF04
STP100NF04L
STP1020
STM8S903K3T6C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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