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STP10NM60ND

更新時間:2025-05-18 05:20:29

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STP10NM60ND外觀圖

STP10NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

封裝:TO-220-3

STP10NM60ND 概述

STP10NM60ND是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關電源應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，能在高頻率下有效降低損耗。其最大漏源電壓為600V，適合在高壓電路中使用。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、電機驅動器以及工業(yè)自動化設備中的開關電源。在實際應用中，推薦采用適當?shù)臇艠O電阻來控制開關速度，避免過高的dv/dt導致誤觸發(fā)或損壞。由于其較高的耐壓能力，在設計時需注意PCB布局以確保足夠的電氣間隙和爬電距離。對于高頻應用，盡量減小柵極回路的寄生電感，可進一步提升性能。此外，建議在柵極與源極之間并聯(lián)一個低值電阻和電容，以吸收開關過程中的尖峰電壓，保護MOSFET不受損害。

STP10NM60ND 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP10NM60ND View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™ II
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
577pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
497-12276

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SM16126D

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