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STP10NM60N

更新時間:2025-06-13 04:20:27

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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STP10NM60N外觀圖

STP10NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 8A TO220

封裝:TO-220-3

STP10NM60N 概述

STP10NM60N是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達(dá)10A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能。此款MOSFET廣泛應(yīng)用于不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、開關(guān)模式電源（SMPS）以及照明系統(tǒng)等領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，建議使用適當(dāng)?shù)臇艠O電阻來控制開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計合理以維持工作溫度。電路設(shè)計時需注意柵極閾值電壓范圍，防止因電壓不足導(dǎo)致器件無法正常開啟。對于高頻應(yīng)用，推薦優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感影響。

STP10NM60N 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP10NM60N View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
540pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-9098-5

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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