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STP100N8F6

更新時間:2025-05-19 23:57:45

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳原包裝現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道-增值稅票

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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務

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原裝/一站BOM配單/簽質保5年

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深圳市福田區(qū)晶康業(yè)電子商行
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47783
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深圳市鑫博昂科技有限公司
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-

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STP100N8F6 概述

STP100N8F6是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具備低導通電阻和高開關速度特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為80V，適合于中等電壓范圍的電路設計。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、DC-DC轉換器以及電池管理系統(tǒng)等需要高效能開關元件的場合。在實際應用中，推薦在柵，并確保散熱良好以維持長期穩(wěn)定工作。設計時應注意其最大功耗限制，避免超過額定值導致器件損壞。

STP100N8F6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
41,215現(xiàn)貨
系列
STripFET? F6
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
9 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5955 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
176W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3

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廣東微爾科技有限公司

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