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STN1NF20

更新時間:2025-05-31 22:36:32

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STN1NF20外觀圖

STN1NF20

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

STN1NF20 概述

STN1NF20是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為200V，適合于高壓側開關電路設計。典型應用場景包括電機驅動、開關電源以及工業(yè)自動化設備中的功率轉換模塊。在實際應用中，建議確保柵極驅動電壓足夠高以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于電機控制應用，需仔細選擇柵極電阻值來優(yōu)化開關速度與EMI之間的平衡。

STN1NF20 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STN1NF20 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ II
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
90pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12273-6

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