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STL8N10F7

更新時間:2025-06-25 21:48:30

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STL8N10F7 概述

STL8N10F7是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能的電源管理應(yīng)用。其最大漏源電壓（Vds）為100V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為8A。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器以及電機驅(qū)動電路等。由于其出色的熱性能和電氣特性，在工業(yè)控制和消費類電子產(chǎn)品中也被廣泛應(yīng)用。使用時應(yīng)注意避免超出最大額定值，并確保散熱設(shè)計合理以防止過熱損壞。在PCB布局上應(yīng)盡量減小走線電感，以充分發(fā)揮其高速開關(guān)的優(yōu)勢。

STL8N10F7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
35A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
20 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerFlat?（3.3x3.3）
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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STL8110GCL300
STM32F103ZCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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