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STL80N75F6

更新時間:2025-05-18 10:41:06

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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
STL80N75F6
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎查詢

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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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深圳市晶美隆科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號STL80N75F6

深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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STL80N75F6外觀圖

STL80N75F6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56

封裝:8-PowerVDFN

STL80N75F6 概述

STL80N75F6是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的工藝技術(shù)，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效率的電源管理應(yīng)用。其最大漏極電流可達(dá)80A，耐壓值為75V，適合于需要高功率密度和卓越熱性能的設(shè)計。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池管理系統(tǒng)等。在電機(jī)驅(qū)動中，它能夠有效減少功耗并提高系統(tǒng)效率；而在DC-DC轉(zhuǎn)換器里，則有助于實現(xiàn)緊湊型設(shè)計和高效能輸出。使用時應(yīng)注意合理布局以優(yōu)化散熱，并確保柵極驅(qū)動電路穩(wěn)定可靠，防止誤導(dǎo)通或損壞器件。對于高頻應(yīng)用，應(yīng)關(guān)注寄生電容的影響，適當(dāng)調(diào)整電路參數(shù)以獲得最佳性能。

STL80N75F6 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ VI, DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.3 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7120pF @ 25V
功率 - 最大
80W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerFlat?（5x6）
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12981-6

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廣東微爾科技有限公司

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STL8110GCH300
STL8110GCL270
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SMBJ6.0CA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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