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STL7N10F7

更新時間:2025-06-01 01:10:47

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STL7N10F7 概述

7N10F7是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏源電壓為100V，能夠承受較高的電壓應力，適合在工業(yè)控制、電動工具、不間斷電源系統(tǒng)等需要高耐壓的場景中使用。在實際應用中，STL7N10F7常用于開關電源中的同步整流電路，以提高電源轉換效率。設計時應注意確保柵極驅動電壓足夠高，以充分開啟MOSFET，減少導通損耗。同時，在布局PCB時應盡量縮短源極和柵極引線長度，減小寄生電感對開關性能的影響。對于需要并聯(lián)多個MOSFET的應用場合，需注意每個器件的熱設計，確保均勻散熱，避免局部過熱導致器件損壞。

STL7N10F7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7A（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
35 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
920 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Ta），50W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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