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STL40N75LF3

更新時間:2025-05-16 19:29:09

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STL40N75LF3 概述

STL40N75LF3是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh V技術，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為75V，連續(xù)漏極電流可達40A，在高頻率開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景中表現(xiàn)出色。該MOSFET還具備快速開關特性，有助于減少開關損耗，提高系統(tǒng)效率。在設計時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關性能，并確保散熱設計合理，避免過熱損壞。典型應用包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器和工業(yè)自動化設備中的電源管理部分。

STL40N75LF3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
STripFET? III
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
75 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
40A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
19 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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