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STL24N60M2

更新時間:2025-05-18 23:47:31

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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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DFN5X6/2025+
終端可以免費供樣，支持BOM配單

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深圳市岳泰達電子有限公司
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16年老牌企業(yè) 原裝低價現貨

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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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STL24N60M2 概述

STL24N60M2是由STMicroelectronics生產的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術，具有低導通電阻和低柵極電荷，優(yōu)化了開關性能。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為24A，適用于高頻開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動和其他工業(yè)應用中。此MOSFET特別適合需要高效能轉換的場合，如PFC電路或DC-DC轉換器。它能夠在減少能量損耗的同時提供更高的效率，有助于實現更緊湊的設計方案。使用時應注意正確的柵極驅動設計以避免誤觸發(fā)，并確保散熱管理得當，防止過熱損壞。典型的應用電路包括半橋和全橋拓撲結構，在這些設計中，良好的PCB布局對于提高整體系統(tǒng)性能至關重要。

STL24N60M2 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
210 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1060 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（8x8）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

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