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STL20DN10F7

更新時間:2025-05-30 20:59:23

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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STL20DN10F7 概述

STL20DN10F7是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。該器件的最大漏源電壓為100V，在25℃下連續(xù)漏極電流可達20A。其柵極電荷較低，有助于提高開關速度并降低驅動功率需求。這款MOSFET適用于各種高效電源轉換應用，如直流-直流轉換器、電機驅動以及工業(yè)自動化設備中的開關電源。在電機控制應用中，其快速的開關特性和低導通損耗可以提升系統(tǒng)效率并減少發(fā)熱。使用時應注意合適的柵極驅動電路設計，確保柵極電壓足夠高以完全開啟MOSFET，并且要考慮到最大額定電流和電壓限制，避免超出規(guī)格導致器件損壞。在布局PCB時，應盡量減小走線電感以防止開關過程中的過沖現象。

STL20DN10F7 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
技術
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
100V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
67 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
7.8nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
408pF @ 50V
功率 - 最大值
62.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）

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廣東微爾科技有限公司

STL20DN10F7推薦型號

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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