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STL18N60M6

更新時間:2025-05-22 01:53:40

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STL18N60M6 概述

STL18N60M6是由意法半導體生產的高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M6技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。其最大漏源電壓為600V，適用于高壓應用場合。典型應用包括電源轉換器、適配器、LED驅動器以及工業(yè)控制設備。在電源管理電路中，STL18N60M6能夠有效提升能效比，減少能量損耗。設計時需注意其最大漏極電流不超過18A，并合理選擇散熱方案以確保穩(wěn)定工作。推薦在柵極驅動電路上使用適當?shù)腞C緩沖電路來抑制振鈴現(xiàn)象，提高系統(tǒng)可靠性。此外，在PCB布局階段應盡量縮短高頻節(jié)點走線長度，優(yōu)化EMI性能。

STL18N60M6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M6
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
308毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
16.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
650 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

芯知識

2.1萬

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