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STL18N60M2

更新時間:2025-07-10 14:15:55

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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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STL18N60M2 概述

STL18N60M2是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應(yīng)用設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（Vds）可達(dá)600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為18A。該MOSFET采用了先進(jìn)的制造工藝，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換性能。此款MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機(jī)驅(qū)動以及開關(guān)模式電源（SMPS）等領(lǐng)域。例如，在電動工具的驅(qū)動電路中，它能夠高效地控制電機(jī)的速度和方向；在高頻開關(guān)電源中，可降低功耗并提高效率。使用時需注意散熱設(shè)計，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。推薦采用適當(dāng)?shù)纳崞?，并確保良好的電氣連接以實現(xiàn)最佳工作狀態(tài)。

STL18N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
308 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
21.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
791 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerFlat?（5x6）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

STL18N60M2推薦型號

>> 更多STL18N60M2相關(guān)熱門型號

STL100N10F7
STL100N1VH5
STL100N6LF6
STL100NH3LL
STL105NS3LLH7
STL110N10F7
STL11N3LLH6
STM32F103C8T6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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